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IRF840 Transistor MOSFET

$ 11.19
IVA incluido
Código: 96574
Inventario: 51 pzas

Transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de alta tensión y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrónica. Esta diseñado para soportar un determinado nivel de energía en el modo de operación avalancha, alta velocidad de conmutación en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO-220 y consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta.

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Intensidad frenador vontinua Id: 8 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V
  • Resistencia de activación Rds (on): 850 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs:  4 V
  • Disipación de potencia Pd: 125 W
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

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