IRF840 Transistor MOSFET
Transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de alta tensión y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrónica. Esta diseñado para soportar un determinado nivel de energía en el modo de operación avalancha, alta velocidad de conmutación en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO-220 y consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta.
- Polaridad del transistor: Canal N
- Intensidad frenador vontinua Id: 8 A
- Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V
- Resistencia de activación Rds (on): 850 mohm
- Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
- Tensión umbral Vgs: 4 V
- Disipación de potencia Pd: 125 W
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: TO-220
- 3 pines
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