IRF640N Transistor MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o Mosfet (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF640N es un Mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo es robusto y de baja resistencia.
- Polaridad: Canal N
- Intensidad drenador continua Id: 18 A
- Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
- Resistencia de activación Rds(on): 150 mohm
- Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
- Tensión umbral Vgs: 4 V
- Disipación de potencia Pd: 150 W
- Temperatura de trabajo máxima: 175°C
- Encapsulado: TO-220
- 3 pines
DOCUMENTOS:
