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IRF540N Transistor MOSFET

$ 11.19
IVA incluido
Código: 48775
Inventario: 96 pzas

El IRF540N es un Mosfet de potencia Hexfet de canal único N de 100V en el encapsuladoTO-220AB. Este Mosfet tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente.  Los Mosfet de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 33 A
  • Tensión denaje-fuente Vds: 100 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 44 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 130 mW
  • Temperatura de trabajo mínima: -55 °C
  • Temperatura de trabajo máxima: 175°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

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