IRF540N Transistor MOSFET
El IRF540N es un Mosfet de potencia Hexfet de canal único N de 100V en el encapsuladoTO-220AB. Este Mosfet tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente. Los Mosfet de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.
- Polaridad: Canal N
- Intensidad drenador continua Id: 33 A
- Tensión denaje-fuente Vds: 100 V
- Resistencia de activación Rds(on): 44 mohm
- Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
- Tensión umbral Vgs: 4 V
- Disipación de potencia Pd: 130 mW
- Temperatura de trabajo mínima: -55 °C
- Temperatura de trabajo máxima: 175°C
- Encapsulado: TO-220
- 3 pines
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