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IRF530N Transistor MOSFET

$ 9.90
IVA incluido
Código: 98876
Inventario: 76 pzas

El transistor Mosfet IRF530N de canal N ofrece la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de este dispositivos esta hecho para uso rudo, baja resistencia y tiene una buena relación costo-efectividad.

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Intensidad drenador continua Id: 14 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 110mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 100 V
  • Tensión umbral Vgs: 2 V
  • Disipación de potencia Pd: 55 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

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