IRF840 Transistor MOSFET

Transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de alta tensión y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrónica. Esta diseñado para soportar un determinado nivel de energía en el modo de operación avalancha, alta velocidad de conmutación en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO-220 y consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta.

• Polaridad del transistor: Canal N
• Intensidad frenador vontinua Id: 8 A
• Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V
• Resistencia de activación Rds (on): 850 mohm
• Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
• Tensión umbral Vgs:  4 V
• Disipación de potencia Pd: 125 W
• Temperatura de operación máxima: 150 °C
• Encapsulado: TO-220
• 3 pines

DOCUMENTOS

• Datasheet