IRF640N Transistor MOSFET

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o Mosfet (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. 

El IRF640N es un Mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo es robusto y de baja resistencia.

• Polaridad: Canal N
• Intensidad drenador continua Id: 18 A
• Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
• Resistencia de activación Rds(on): 150 mohm
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
• Tensión umbral Vgs: 4 V
• Disipación de potencia Pd: 150 W
• Temperatura de trabajo máxima: 175°C
• Encapsulado: TO-220
• 3 pines

DOCUMENTOS:

• Datasheet