IRF530N Transistor MOSFET

El transistor Mosfet IRF530N de canal N ofrece la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de este dispositivos esta hecho para uso rudo, baja resistencia y tiene una buena relación costo-efectividad.

• Polaridad del transistor: NPN
• Intensidad drenador continua Id: 14 A
• Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
• Resistencia de activación Rds(on): 110mohm
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 100 V
• Tensión umbral Vgs: 2 V
• Disipación de potencia Pd: 55 W
• Temperatura de operación mínima: -55 °C
• Temperatura de operación máxima: 150 °C
• Encapsulado: TO-220
• Número de pines: 3

DOCUMENTOS:

• Datasheet