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IRF3205 Transistor MOSFET
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El transistor IRF3205 es un Mosfet de canal N de energía Hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y de rendimiento de conmutación rápida que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento. Este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que Hexfet Mosfet de potencia son bien conocidos por, ofrece al diseñador de un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para uso en una amplia variedad de aplicaciones. 
El IRF3205 recomendado para aplicaciones industriales por su alto nivel de disipación que aproximan a los 50 watts.
  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 110 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 55 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 8 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 150 W
  • Temperatura de operación máxima: 175°C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

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